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S29GL128S11DHIV10

S29GL128S11DHIV10

僅供參考

型號 S29GL128S11DHIV10
PNEDA編號 S29GL128S11DHIV10
描述 IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29GL128S11DHIV10資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29GL128S11DHIV10
類別半導體內存IC內存

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S29GL128S11DHIV10規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-S
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁60ns
訪問時間110ns
電壓-供電1.65V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-FBGA (9x9)

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訪問時間

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

8µs, 1.75ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

60µs, 750µs

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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系列

GL-S

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

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