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S29GL512P11TFIV10

S29GL512P11TFIV10

僅供參考

型號 S29GL512P11TFIV10
PNEDA編號 S29GL512P11TFIV10
描述 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,268
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29GL512P11TFIV10資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29GL512P11TFIV10
類別半導體內存IC內存
數據表
S29GL512P11TFIV10, S29GL512P11TFIV10數據表 (總頁數: 82, 大小: 1,009.21 KB)
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S29GL512P11TFIV10規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-P
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁110ns
訪問時間110ns
電壓-供電1.65V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝56-TSOP

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

2ms

訪問時間

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

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制造商

Fremont Micro Devices Ltd

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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