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S29GL512S11FHIV23

S29GL512S11FHIV23

僅供參考

型號 S29GL512S11FHIV23
PNEDA編號 S29GL512S11FHIV23
描述 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,736
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29GL512S11FHIV23資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29GL512S11FHIV23
類別半導體內存IC內存

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S29GL512S11FHIV23規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-S
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁60ns
訪問時間110ns
電壓-供電1.65V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-Fortified BGA (13x11)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

3.4ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

1Mb (32K x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.63V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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