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S29GL512T10DHA020

S29GL512T10DHA020

僅供參考

型號 S29GL512T10DHA020
PNEDA編號 S29GL512T10DHA020
描述 IC FLASH 512M PARALLEL
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29GL512T10DHA020資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29GL512T10DHA020
類別半導體內存IC內存

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S29GL512T10DHA020規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列Automotive, AEC-Q100, GL-T
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁60ns
訪問時間100ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-FBGA (9x9)

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Cypress Semiconductor Corp

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LBGA

供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

8Gb (512M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

13.5ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

PSRAM (Pseudo SRAM)

內存大小

8Mb (512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Microchip Technology

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

10µs

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

60ns

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