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S29NS512P0PBJW003

S29NS512P0PBJW003

僅供參考

型號 S29NS512P0PBJW003
PNEDA編號 S29NS512P0PBJW003
描述 IC FLASH MEMORY
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 1 - 四月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29NS512P0PBJW003資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29NS512P0PBJW003
類別半導體內存IC內存
數據表
S29NS512P0PBJW003, S29NS512P0PBJW003數據表 (總頁數: 91, 大小: 1,061.66 KB)
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S29NS512P0PBJW003規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列*
內存類型-
內存格式-
技術-
內存大小-
內存接口-
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.5V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

DRAM

內存大小

288Mb (16M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

300MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

30µs, 1.5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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