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S29WS256RAABHW000E

S29WS256RAABHW000E

僅供參考

型號 S29WS256RAABHW000E
PNEDA編號 S29WS256RAABHW000E
描述 IC FLASH 256M PARALLEL 104MHZ
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,354
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29WS256RAABHW000E資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29WS256RAABHW000E
類別半導體內存IC內存

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S29WS256RAABHW000E規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列WS-R
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率104MHz
寫周期-字,頁60ns
訪問時間80ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱84-VFBGA
供應商設備包裝84-FBGA (11.6x8)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.1V

工作溫度

-30°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.1V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

18Mb (256K x 72)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.3ns

電壓-供電

1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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