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S29WS512R0SBHW200E

S29WS512R0SBHW200E

僅供參考

型號 S29WS512R0SBHW200E
PNEDA編號 S29WS512R0SBHW200E
描述 IC FLASH 512M PARALLEL 104MHZ
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,892
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29WS512R0SBHW200E資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29WS512R0SBHW200E
類別半導體內存IC內存

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S29WS512R0SBHW200E規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列WS-R
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率104MHz
寫周期-字,頁60ns
訪問時間80ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱84-VFBGA
供應商設備包裝84-FBGA (11.6x8)

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內存接口

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時鐘頻率

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

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內存格式

FLASH

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內存接口

SPI

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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