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S2JHE3_A/H

S2JHE3_A/H

僅供參考

型號 S2JHE3_A/H
PNEDA編號 S2JHE3_A-H
描述 DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 257,346
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S2JHE3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S2JHE3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S2JHE3_A/H, S2JHE3_A/H數據表 (總頁數: 4, 大小: 78.59 KB)
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S2JHE3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 1.5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 600V
電容@ Vr,F16pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

22pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

930mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

270A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 800V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

110pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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