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S2MHE3_A/H

S2MHE3_A/H

僅供參考

型號 S2MHE3_A/H
PNEDA編號 S2MHE3_A-H
描述 DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 17,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S2MHE3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S2MHE3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S2MHE3_A/H, S2MHE3_A/H數據表 (總頁數: 4, 大小: 78.59 KB)
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S2MHE3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)1.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 1.5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 1000V
電容@ Vr,F16pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

ITO-220AC

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

4.3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

580mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

600µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

75V

電流-平均整流(Io)

250mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

25nA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-323

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AC, DO-15, Axial

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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1200V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.15V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

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