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S30MS512R25TFW110

S30MS512R25TFW110

僅供參考

型號 S30MS512R25TFW110
PNEDA編號 S30MS512R25TFW110
描述 IC FLASH MEMORY 48TSOP
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,698
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S30MS512R25TFW110資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S30MS512R25TFW110
類別半導體內存IC內存

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S30MS512R25TFW110規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

66-TSOP

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

1.125Mb (64K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

10µs

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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