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S34ML01G100TFA000

S34ML01G100TFA000

僅供參考

型號 S34ML01G100TFA000
PNEDA編號 S34ML01G100TFA000
描述 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S34ML01G100TFA000資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S34ML01G100TFA000
類別半導體內存IC內存

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S34ML01G100TFA000規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列ML-1
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP I

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內存格式

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

150ns

訪問時間

150ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

36-DIP Module (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

36-EDIP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

117MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.3V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA, CSPBGA

供應商設備包裝

48-CBGA (8x10)

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制造商

STMicroelectronics

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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