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S34ML04G200BHB003

S34ML04G200BHB003

僅供參考

型號 S34ML04G200BHB003
PNEDA編號 S34ML04G200BHB003_33
描述 IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S34ML04G200BHB003資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S34ML04G200BHB003
類別半導體內存IC內存

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S34ML04G200BHB003規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列ML-2
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-VFBGA
供應商設備包裝63-BGA (11x9)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.3V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

134-WFBGA

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

400ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

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電壓-供電

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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