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S34ML08G201BHI003

S34ML08G201BHI003

僅供參考

型號 S34ML08G201BHI003
PNEDA編號 S34ML08G201BHI003_33
描述 IC FLASH 8G PARALLEL 63BGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,922
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S34ML08G201BHI003資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S34ML08G201BHI003
類別半導體內存IC內存

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S34ML08G201BHI003規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列ML-2
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小8Gb (1G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-VFBGA
供應商設備包裝63-BGA (11x9)

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4Mb (64K x 72)

內存接口

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時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

4ns

電壓-供電

1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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系列

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

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內存大小

18Mb (256K x 72)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

117MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

Single Wire

時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.4ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH - NOR

內存大小

2Mb (256K x 8, 128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

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