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S3DB R5G

S3DB R5G

僅供參考

型號 S3DB R5G
PNEDA編號 S3DB-R5G
描述 DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 7,434
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S3DB R5G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S3DB R5G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S3DB R5G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 3A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.5µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F40pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

8A

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975mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

70pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 80A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

190ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 40V

電容@ Vr,F

70pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

540mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

250pF @ 4V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1000V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

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Surface Mount

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