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S3DBHR5G

S3DBHR5G

僅供參考

型號 S3DBHR5G
PNEDA編號 S3DBHR5G
描述 DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 4,734
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S3DBHR5G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S3DBHR5G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S3DBHR5G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 3A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.5µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F40pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

620mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

770mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4.5µA @ 100V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

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反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.4V @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1750V

電容@ Vr,F

-

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