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S3KHE3/57T

S3KHE3/57T

僅供參考

型號 S3KHE3/57T
PNEDA編號 S3KHE3-57T
描述 DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,388
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S3KHE3/57T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S3KHE3/57T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S3KHE3/57T, S3KHE3/57T數據表 (總頁數: 4, 大小: 84.81 KB)
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S3KHE3/57T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 2.5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.5µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 800V
電容@ Vr,F60pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

570mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

270ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

制造商

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系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

8V

電流-平均整流(Io)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

340mV @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200mA @ 8V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3 Full Pack

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 800V

電容@ Vr,F

-

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