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S4PJHM3/86A

S4PJHM3/86A

僅供參考

型號 S4PJHM3/86A
PNEDA編號 S4PJHM3-86A
描述 DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,016
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S4PJHM3/86A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S4PJHM3/86A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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S4PJHM3/86A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)4A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 4A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.5µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F30pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 800A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1000V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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600V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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