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S5B-E3/9AT

S5B-E3/9AT

僅供參考

型號 S5B-E3/9AT
PNEDA編號 S5B-E3-9AT
描述 DIODE GEN PURP 100V 5A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,086
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S5B-E3/9AT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S5B-E3/9AT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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S5B-E3/9AT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.5µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 100V
電容@ Vr,F40pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1200A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

13µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

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