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S5D-E3/9AT

S5D-E3/9AT

僅供參考

型號 S5D-E3/9AT
PNEDA編號 S5D-E3-9AT
描述 DIODE GEN PURP 200V 5A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 27,072
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S5D-E3/9AT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S5D-E3/9AT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S5D-E3/9AT, S5D-E3/9AT數據表 (總頁數: 4, 大小: 81.43 KB)
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S5D-E3/9AT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.5µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F40pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 250mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 75V

電容@ Vr,F

10pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

95A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 60A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

-

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