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S5MHE3_A/I

S5MHE3_A/I

僅供參考

型號 S5MHE3_A/I
PNEDA編號 S5MHE3_A-I
描述 DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,050
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S5MHE3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S5MHE3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S5MHE3_A/I, S5MHE3_A/I數據表 (總頁數: 4, 大小: 81.43 KB)
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S5MHE3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.5µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 1000V
電容@ Vr,F40pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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300V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.71V @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

650µA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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