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S70GL02GS11FHSS60

S70GL02GS11FHSS60

僅供參考

型號 S70GL02GS11FHSS60
PNEDA編號 S70GL02GS11FHSS60
描述 IC FLASH 2G PARALLEL 64FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,496
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S70GL02GS11FHSS60資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S70GL02GS11FHSS60
類別半導體內存IC內存

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S70GL02GS11FHSS60規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-S
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小2Gb (128M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間110ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-FBGA (13x11)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.65V ~ 3.3V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-TSSOP

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Single Wire

時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

48-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

48-PDIP

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