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S85J

S85J

僅供參考

型號 S85J
PNEDA編號 S85J
描述 DIODE GEN PURP 600V 85A DO5
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,208
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S85J資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S85J
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S85J, S85J數據表 (總頁數: 3, 大小: 785.1 KB)
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S85J規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)85A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 85A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-5
工作溫度-結點-65°C ~ 180°C

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410mV @ 19A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

6mA @ 15V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

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-

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

9.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 9.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.9V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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