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S85YR

S85YR

僅供參考

型號 S85YR
PNEDA編號 S85YR
描述 DIODE GEN PURP REV 1.6KV 85A DO5
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,840
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S85YR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S85YR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S85YR, S85YR數據表 (總頁數: 3, 大小: 784.78 KB)
PDFS85Y數據表 封面
S85Y數據表 頁面 2 S85Y數據表 頁面 3

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S85YR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1600V
電流-平均整流(Io)85A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 85A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-5
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-41

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Powerex Inc.

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二極管類型

Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.15V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

9µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

250V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

970mV @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 250V

電容@ Vr,F

500pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

570mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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