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S85YR

S85YR

僅供參考

型號 S85YR
PNEDA編號 S85YR
描述 DIODE GEN PURP REV 1.6KV 85A DO5
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,840
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S85YR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S85YR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S85YR, S85YR數據表 (總頁數: 3, 大小: 784.78 KB)
PDFS85Y數據表 封面
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S85YR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1600V
電流-平均整流(Io)85A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 85A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-5
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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1000V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.26V @ 38A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.2V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

90ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

22pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.15V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

9µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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