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S8CG-M3/I

S8CG-M3/I

僅供參考

型號 S8CG-M3/I
PNEDA編號 S8CG-M3-I
描述 DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,940
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S8CG-M3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S8CG-M3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S8CG-M3/I, S8CG-M3/I數據表 (總頁數: 4, 大小: 96.21 KB)
PDFS8CMHM3/I數據表 封面
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S8CG-M3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果985mV @ 8A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)4µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F79pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

170pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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SOD-123FA

工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

790mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

1ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 30V

電容@ Vr,F

9pF @ 1V, 1MHz

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