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S8JC R7G

S8JC R7G

僅供參考

型號 S8JC R7G
PNEDA編號 S8JC-R7G
描述 DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 16,254
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S8JC R7G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S8JC R7G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S8JC R7G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果985mV @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F48pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

670mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 40V

電容@ Vr,F

74pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-76, SOD-323

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 100V

電容@ Vr,F

28pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

900ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

9.5pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-220AA (SMP)

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

eSMP®

二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

560mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 40V

電容@ Vr,F

750pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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制造商

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

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