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S9S08SG32E1MTJR

S9S08SG32E1MTJR

僅供參考

型號 S9S08SG32E1MTJR
PNEDA編號 S9S08SG32E1MTJR
描述 IC MCU 8BIT 32KB FLASH 20TSSOP
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,150
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 4 - 三月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S9S08SG32E1MTJR資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S9S08SG32E1MTJR
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器
數據表
S9S08SG32E1MTJR, S9S08SG32E1MTJR數據表 (總頁數: 338, 大小: 3,553.54 KB)
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S9S08SG32E1MTJR規格

制造商NXP USA Inc.
系列S08
核心處理器S08
核心大小8-Bit
速度40MHz
連接性I²C, LINbus, SCI, SPI
外圍設備LVD, POR, PWM, WDT
I / O數量16
程序存儲器大小32KB (32K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小1K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)2.7V ~ 5.5V
數據轉換器A/D 12x10b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝20-TSSOP

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I / O數量

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程序存儲器大小

768KB (768K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

64K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 53x10/12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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安裝類型

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連接性

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外圍設備

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I / O數量

12

程序存儲器大小

1.5KB (1K x 12)

程序存儲器類型

OTP

EEPROM大小

-

RAM大小

25 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3V ~ 5.5V

數據轉換器

-

振蕩器類型

External

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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13

程序存儲器大小

62KB (31K x16)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

2K x 32

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.7V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 10x12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

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Surface Mount

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核心大小

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速度

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連接性

CANbus, IrDA, LINbus, SCI, SPI

外圍設備

LVD, POR, PWM, WDT

I / O數量

54

程序存儲器大小

128KB (128K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

4K x 8

RAM大小

8K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3.13V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 12x12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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核心處理器

HC08

核心大小

8-Bit

速度

8MHz

連接性

SCI, SPI

外圍設備

LVD, POR, PWM

I / O數量

16

程序存儲器大小

8KB (8K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

384 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 10x10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

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