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SBAS16DXV6T1G

SBAS16DXV6T1G

僅供參考

型號 SBAS16DXV6T1G
PNEDA編號 SBAS16DXV6T1G
描述 DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT563
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SBAS16DXV6T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SBAS16DXV6T1G
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
SBAS16DXV6T1G, SBAS16DXV6T1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 61.6 KB)
PDFSBAS16DXV6T1G數據表 封面
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SBAS16DXV6T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管配置2 Independent
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 150mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)6ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 100V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 10A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 600V

工作溫度-結點

175°C (Max)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-247

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

120V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

880mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 120V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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二極管配置

1 Pair Common Anode

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

75A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.17V @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 1200V

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 25V

工作溫度-結點

-65°C ~ 125°C

安裝類型

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