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SBCP53-10T1G

SBCP53-10T1G

僅供參考

型號 SBCP53-10T1G
PNEDA編號 SBCP53-10T1G
描述 TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 14,352
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 31 - 四月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SBCP53-10T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SBCP53-10T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
SBCP53-10T1G, SBCP53-10T1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 69.28 KB)
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SBCP53-10T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce63 @ 150mA, 2V
功率-最大1.5W
頻率-過渡50MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223-3

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ON Semiconductor

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 500mA, 3V

功率-最大

10W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

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晶體管類型

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-523

供應商設備包裝

SOT-523

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 300mA, 10V

功率-最大

2W

頻率-過渡

10MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

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