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SBCP68T1G

SBCP68T1G

僅供參考

型號 SBCP68T1G
PNEDA編號 SBCP68T1G
描述 TRANS NPN 20V 1A SOT223
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,498
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SBCP68T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SBCP68T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
SBCP68T1G, SBCP68T1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 136.11 KB)
PDFBCP68T1數據表 封面
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SBCP68T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce85 @ 500mA, 1V
功率-最大1.5W
頻率-過渡60MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

380 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

220mV @ 50mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 2V

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 150mA, 10V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

SC-70

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制造商

Diodes Incorporated

系列

-

晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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