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SBL2040CTHE3/45

SBL2040CTHE3/45

僅供參考

型號 SBL2040CTHE3/45
PNEDA編號 SBL2040CTHE3-45
描述 DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,358
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SBL2040CTHE3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SBL2040CTHE3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
SBL2040CTHE3/45, SBL2040CTHE3/45數據表 (總頁數: 5, 大小: 143.62 KB)
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SBL2040CTHE3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)40V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果600mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 40V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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1 Pair Common Cathode

二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

570mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant

供應商設備包裝

TO-263AC (SMPD)

VS-VSKJ250-16PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

125A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1600V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

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300V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

工作溫度-結點

175°C (Max)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

工作溫度-結點

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