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SBR1U200P1-7

SBR1U200P1-7

僅供參考

型號 SBR1U200P1-7
PNEDA編號 SBR1U200P1-7
描述 DIODE SBR 200V 1A POWERDI123
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 1,161,564
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SBR1U200P1-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SBR1U200P1-7
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SBR1U200P1-7, SBR1U200P1-7數據表 (總頁數: 5, 大小: 376.77 KB)
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SBR1U200P1-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列SBR®
二極管類型Super Barrier
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果820mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱POWERDI®123
供應商設備包裝PowerDI™ 123
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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1.02V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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Chassis, Stud Mount

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電流-平均整流(Io)

200A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.45V @ 628A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 400V

電容@ Vr,F

-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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電容@ Vr,F

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