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SBR1U30CSP-7

SBR1U30CSP-7

僅供參考

型號 SBR1U30CSP-7
PNEDA編號 SBR1U30CSP-7
描述 DIODE SBR 30V 1A 2CSP
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,834
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 16 - 十一月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SBR1U30CSP-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SBR1U30CSP-7
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SBR1U30CSP-7, SBR1U30CSP-7數據表 (總頁數: 4, 大小: 423.93 KB)
PDFSBR1U30CSP-7數據表 封面
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SBR1U30CSP-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列SBR®
二極管類型Super Barrier
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果480mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr75µA @ 30V
電容@ Vr,F80pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱2-SMD, No Lead
供應商設備包裝2-CSP
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

14µA @ 420V

電容@ Vr,F

205pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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200V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

930mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 440V

電容@ Vr,F

40pF @ 10V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

電容@ Vr,F

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