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SCH1331-TL-H

SCH1331-TL-H

僅供參考

型號 SCH1331-TL-H
PNEDA編號 SCH1331-TL-H
描述 MOSFET P-CH 12V 3A SCH6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,592
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SCH1331-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SCH1331-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SCH1331-TL-H, SCH1331-TL-H數據表 (總頁數: 5, 大小: 658.92 KB)
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SCH1331-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs84mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.6nC @ 4.5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds405pF @ 6V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-SCH
包裝/箱SOT-563, SOT-666

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技術

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 300mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-23

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.5A (Ta), 105A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

126nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6775pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

800mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

11W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

447mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

116pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta), 5.68W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

610mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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-

功耗(最大值)

800mW (Ta), 15W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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