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SCH1337-TL-H

SCH1337-TL-H

僅供參考

型號 SCH1337-TL-H
PNEDA編號 SCH1337-TL-H
描述 MOSFET P-CH 30V 2A SCH6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,986
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SCH1337-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SCH1337-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SCH1337-TL-H, SCH1337-TL-H數據表 (總頁數: 5, 大小: 677.76 KB)
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SCH1337-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs150mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.9nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds172pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)800mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-SCH
包裝/箱SOT-563, SOT-666

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

185pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

53mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

750mW (Ta)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.6nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

560pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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