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SCS312AHGC9

SCS312AHGC9

僅供參考

型號 SCS312AHGC9
PNEDA編號 SCS312AHGC9
描述 SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 16,680
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SCS312AHGC9資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SCS312AHGC9
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SCS312AHGC9規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)12A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr60µA @ 650V
電容@ Vr,F600pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220ACP
工作溫度-結點175°C (Max)

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20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

565mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

125µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 200V

電容@ Vr,F

117pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

Silicon Carbide Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

7.5A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 6A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

294pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

470mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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200V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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