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SCT2H12NZGC11

SCT2H12NZGC11

僅供參考

型號 SCT2H12NZGC11
PNEDA編號 SCT2H12NZGC11
描述 MOSFET N-CH 1700V 3.7A
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 13,728
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SCT2H12NZGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SCT2H12NZGC11
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SCT2H12NZGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓(Vdss)1700V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)18V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 900µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 18V
Vgs(最大)+22V, -6V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds184pF @ 800V
FET功能-
功耗(最大值)35W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3PFM
包裝/箱TO-3PFM, SC-93-3

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120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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27A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1241pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

98mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

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