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SCT3030KLHRC11

SCT3030KLHRC11

僅供參考

型號 SCT3030KLHRC11
PNEDA編號 SCT3030KLHRC11
描述 AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 22,080
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SCT3030KLHRC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SCT3030KLHRC11
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SCT3030KLHRC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)72A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)18V
Rds On(Max)@ Id,Vgs39mOhm @ 27A, 18V
Vgs(th)(最大)@ ID5.6V @ 13.3mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs131nC @ 18V
Vgs(最大)+22V, -4V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2222pF @ 800V
FET功能-
功耗(最大值)339W
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247N
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

540mOhm @ 900mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

180pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 3.1W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

510mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2350pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 14µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

42W (Tc)

工作溫度

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功耗(最大值)

150W (Tc)

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