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SCT3080KLGC11

SCT3080KLGC11

僅供參考

型號 SCT3080KLGC11
PNEDA編號 SCT3080KLGC11
描述 MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 21,300
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SCT3080KLGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SCT3080KLGC11
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SCT3080KLGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)31A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)18V
Rds On(Max)@ Id,Vgs104mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th)(最大)@ ID5.6V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs60nC @ 18V
Vgs(最大)+22V, -4V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds785pF @ 800V
FET功能-
功耗(最大值)165W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247N
包裝/箱TO-247-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 130W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

720mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1585pF @ 4V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

6-WDFN (2x2)

包裝/箱

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32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5400pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

7.1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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