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SE100PWJ-M3/I

SE100PWJ-M3/I

僅供參考

型號 SE100PWJ-M3/I
PNEDA編號 SE100PWJ-M3-I
描述 DIODE GEN PURP 600V 10A SLIMDPAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,444
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE100PWJ-M3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE100PWJ-M3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SE100PWJ-M3/I, SE100PWJ-M3/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 136.62 KB)
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SE100PWJ-M3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.14V @ 10A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.6µs
當前-反向泄漏@ Vr20µA @ 600V
電容@ Vr,F78pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝SlimDPAK
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 100V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

1ns

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 50V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

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