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SE10FDHM3/H

SE10FDHM3/H

僅供參考

型號 SE10FDHM3/H
PNEDA編號 SE10FDHM3-H
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,626
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 22 - 三月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE10FDHM3/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE10FDHM3/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SE10FDHM3/H, SE10FDHM3/H數據表 (總頁數: 6, 大小: 128.99 KB)
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SE10FDHM3/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.05V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)780ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F7.5pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝DO-219AB (SMF)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

85ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 38A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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40V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

12.62ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 40V

電容@ Vr,F

485pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Powerex Inc.

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-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

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