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SE10FJHM3/H

SE10FJHM3/H

僅供參考

型號 SE10FJHM3/H
PNEDA編號 SE10FJHM3-H
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,330
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE10FJHM3/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE10FJHM3/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SE10FJHM3/H, SE10FJHM3/H數據表 (總頁數: 6, 大小: 128.99 KB)
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SE10FJHM3/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.05V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)780ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F7.5pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝DO-219AB (SMF)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 150V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-35

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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電容@ Vr,F

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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