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SE20DDHM3/I

SE20DDHM3/I

僅供參考

型號 SE20DDHM3/I
PNEDA編號 SE20DDHM3-I
描述 DIODE GEN PURP 200V 3.9A TO263AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,210
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE20DDHM3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE20DDHM3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SE20DDHM3/I, SE20DDHM3/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 112.11 KB)
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SE20DDHM3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)3.9A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 20A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)3µs
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 200V
電容@ Vr,F150pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
供應商設備包裝TO-263AC (SMPD)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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450mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

8V @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 8000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 35V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

電容@ Vr,F

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