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SE20DJHM3/I

SE20DJHM3/I

僅供參考

型號 SE20DJHM3/I
PNEDA編號 SE20DJHM3-I
描述 DIODE GEN PURP 600V 3.9A TO263AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,280
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE20DJHM3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE20DJHM3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SE20DJHM3/I, SE20DJHM3/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 112.11 KB)
PDFSE20DJHM3/I數據表 封面
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SE20DJHM3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)3.9A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 20A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)3µs
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 600V
電容@ Vr,F150pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
供應商設備包裝TO-263AC (SMPD)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

470mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

1.6ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

4.5pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SMini2-F5-B

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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400V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 220A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 400V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 400V

電容@ Vr,F

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150V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

875mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 150V

電容@ Vr,F

25pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

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