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SE20FJ-M3/H

SE20FJ-M3/H

僅供參考

型號 SE20FJ-M3/H
PNEDA編號 SE20FJ-M3-H
描述 DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 51,414
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE20FJ-M3/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE20FJ-M3/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SE20FJ-M3/H, SE20FJ-M3/H數據表 (總頁數: 6, 大小: 128.44 KB)
PDFSE20FJHM3/I數據表 封面
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SE20FJ-M3/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1.7A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 2A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)920ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F13pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝DO-219AB (SMF)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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10ns

當前-反向泄漏@ Vr

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820mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 150V

電容@ Vr,F

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