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SE50PAGHM3/I

SE50PAGHM3/I

僅供參考

型號 SE50PAGHM3/I
PNEDA編號 SE50PAGHM3-I
描述 DIODE GEN PURP 400V 5A DO221BC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,862
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE50PAGHM3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE50PAGHM3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SE50PAGHM3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.16V @ 5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F32pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
供應商設備包裝DO-221BC (SMPA)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

880mV @ 20mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 50V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

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反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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