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SE50PAJHM3/I

SE50PAJHM3/I

僅供參考

型號 SE50PAJHM3/I
PNEDA編號 SE50PAJHM3-I
描述 DIODE GEN PURP 600V 5A DO221BC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE50PAJHM3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE50PAJHM3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SE50PAJHM3/I, SE50PAJHM3/I數據表 (總頁數: 70, 大小: 4,498.7 KB)
PDFSE30PAJHM3/I數據表 封面
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SE50PAJHM3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.16V @ 5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F32pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
供應商設備包裝DO-221BC (SMPA)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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600V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

33ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 300V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4.5mA @ 150V

電容@ Vr,F

4500pF @ 5V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 350V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.31V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

400ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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