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SG2823J-883B

SG2823J-883B

僅供參考

型號 SG2823J-883B
PNEDA編號 SG2823J-883B
描述 TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,884
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SG2823J-883B資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SG2823J-883B
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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SG2823J-883B規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型8 NPN Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)95V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 500µA, 350mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 350mA, 2V
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱-
供應商設備包裝18-CDIP

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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制造商

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2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

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