SH8K26GZ0TB
僅供參考
| 型號 | SH8K26GZ0TB |
| PNEDA編號 | SH8K26GZ0TB |
| 描述 | 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. MIDDLE |
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 6,624 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 四月 10 - 四月 15 (選擇加急運輸) |
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SH8K26GZ0TB資源
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | SH8K26GZ0TB |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
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SH8K26GZ0TB規格
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 系列 | - |
| FET類型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET功能 | Standard |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 40V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 6A (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 38mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 2.5V @ 1mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 2.9nC @ 5V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 280pF @ 10V |
| 功率-最大 | 2W (Ta) |
| 工作溫度 | 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供應商設備包裝 | 8-SOP |
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