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SH8KA7GZETB

SH8KA7GZETB

僅供參考

型號 SH8KA7GZETB
PNEDA編號 SH8KA7GZETB
描述 SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 26,352
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SH8KA7GZETB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SH8KA7GZETB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SH8KA7GZETB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs81nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3320pF @ 15V
功率-最大2W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A (Ta), 2.6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

530pF @ 10V, 705pF @ 10V

功率-最大

800mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12mA, 3mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 4.8V

Vgs(th)(最大)@ ID

810mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

59mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 10V

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