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SH8M41GZETB

SH8M41GZETB

僅供參考

型號 SH8M41GZETB
PNEDA編號 SH8M41GZETB
描述 MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,770
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SH8M41GZETB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SH8M41GZETB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SH8M41GZETB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate, 4V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.4A, 2.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs130mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.2nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds600pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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139A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

350nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9875pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

功率-最大

300mW (Ta)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

79mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 10V

功率-最大

515mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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